氮化镓衬底 外延

      自支撑氮化镓衬底是一种氮化镓（‌GaN）‌晶片，‌它具有无需依赖其他衬底支持的特性，‌可以直接用于半导体器件的制造。‌这种衬底在电子电力领域有广泛应用，‌例如，‌可以用于生产高亮度LED照明灯，‌其发光效率比传统节能灯高3-4倍，‌寿命更是长达节能灯的10倍。‌此外，‌自支撑氮化镓衬底还可以用于制造蓝光激光器，‌并且在电力电子器件中的应用能够使系统能耗降低30%以上。‌由于其高光电转换能力和理论上的光电转化效率可达76%，‌氮化镓材料在太阳能电池领域也有着巨大的应用潜力，‌甚至可以利用太阳能将水分解成氢和氧，‌为人类提供清洁可再生能源。‌自支撑氮化镓衬底根据不同的技术参数分为三种类型：‌n型掺杂、‌半绝缘与非掺杂。‌n型氮化镓主要运用于LED、‌激光器方面，‌而半绝缘氮化镓则运用于高功率微波器件或大电流高电压的开关上1。‌氮化镓自支撑衬底是经多年研发的氢化物气相外延技术（HVPE）和化合物半导体加工技术生产出的高品质单晶基板，其特点是结晶质量高、均匀性好、表面质量优越。

                                                                         2英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）

            规格：GaN-FS-C-U-C50

            尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm

            厚度：350 ± 25 μm

            电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

2英寸自支撑氮化镓晶片（硅掺）