产品分类结果页

4~8英寸碳化硅外延

碳化硅外延层是在衬底的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。

可以提供4、6、8英寸碳化硅外延晶片及外延代工服务，制作(600V~3300V)功率器件包括SBD 、JBS、PiN、MOSFET、 JFET 、BJT 、GTO、 IGBT等。

¥ 0.00

立即购买

碳化硅MOS SBD晶圆

4~8英寸碳化硅外延